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供应刻蚀InP/InGaAsP刻蚀磷化铟/铟镓砷
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- function loadjscssfile(filename, filetype){ if (filetype=="js"){ //if filename is a external JavaScript file var fileref=document.createElement(script) fileref.setAttribute("type","text/javascript") fileref.setAttribute("src", filename) } else if (filetype=="css"){ //if filename is an external CSS file var fileref=document.createElement("link") fileref.setAttribute("rel", "stylesheet") fileref.setAttribute("type", "text/css") fileref.setAttribute("href", filename) } if (typeof fileref!="undefined") document.getElementsByTagName("head")[0].appendChild(fileref) } #sub_contents_main { width: *; float:none; } 刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓*磷 各向异性刻蚀10微米深的InP/ InGaAsP/ InP异质结构 • 基于*的工艺:*、甲烷、氢气、氩气• 速率大于1.5微米/分钟• 对二氧化硅或氮化硅掩模的选择比大于15:1• 均匀性50mm直径范围内公差小于+/- 4 %• 优异的外形控制 标签: 北京市ingaasp 北京市ingaasp厂家
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